Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

总分
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

总分
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Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    46 left arrow 71
    左右 35% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    2 left arrow 14.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    7.7 left arrow 1,519.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 3200
    左右 6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    46 left arrow 71
  • 读取速度,GB/s
    2,909.8 left arrow 14.8
  • 写入速度,GB/s
    1,519.2 left arrow 7.7
  • 内存带宽,mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    241 left arrow 1866
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RAM 1
RAM 2

最新比较