RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2596
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link