Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 14.2

Среднее значение в тестах

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

Причины выбрать
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 46

Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.0 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 3200

Около 5.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 27
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 14.2
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 17000

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2596

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

модули RAM

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

модули RAM

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

модули RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Kingston 9965698-001.A00G 16GB

Kingston 9965698-001.A00G 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Value-800 2GB

Team Group Inc. Team-Value-800 2GB

Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB

Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB

Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB

модули RAM