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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3023
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
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