RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
46
Rund um -84% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.0
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3023
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link