RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3023
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link