RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3023
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link