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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
46
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
35
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3306
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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AMD AE34G2139U2 4GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
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