RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3306
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link