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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

Puntuación global
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global
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Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.7 left arrow 11.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 6.0
    Valor medio en las pruebas
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 28
    En -4% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 8500
    En 2.26 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.7 left arrow 11.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 6.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1988 left arrow 1901

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM

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Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB Comparaciones de la memoria RAM

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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