RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1901
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link