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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
46
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
38
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2471
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
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