RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
46
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
3200
En 8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
40
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
25600
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3020
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link