RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
46
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
40
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
12.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3020
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link