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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
61
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
61
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2025
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
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