RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
61
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
8.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2025
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link