RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
61
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
61
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2025
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link