Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 30

Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

18.3 11.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.6 8.7

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 14200

Autour de 1.2 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2458 3615

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns