Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 30

Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

18.3 11.2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.6 8.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 14200

Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2458 3615

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns