Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 30
    Wokół strony -11% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    18.3 left arrow 11.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    15.6 left arrow 8.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 14200
    Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    30 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.2 left arrow 18.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.7 left arrow 15.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    14200 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2458 left arrow 3615
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania