Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 30

Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

18.3 11.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.6 8.7

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 14200

Intorno 1.2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2458 3615

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns