RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB против Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14200
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
18.3
Скорость записи, Гб/сек
8.7
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14200
17000
Other
Описание
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2458
3615
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link