RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 30

Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

18.3 11.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.6 8.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 14200

Rund um 1.2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2458 3615

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns