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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
79
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
79
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1651
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
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