RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
79
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
79
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1651
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link