RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.7
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.5
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
22.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
18.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
4177
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link