RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
46
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.7
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
22.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
18.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
4177
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link