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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.7
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
22.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
18.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
4177
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
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