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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
46
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
34
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3700
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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