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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
46
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
34
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
16.9
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3700
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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