RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
46
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
3200
En 8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
41
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
25600
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3073
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link