RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
比較する
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
15.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
41
46
周辺 -12% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
3200
周辺 8 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
41
読み出し速度、GB/s
2,909.8
15.8
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
13.6
メモリ帯域幅、mbps
3200
25600
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
241
3073
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link