RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
46
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
41
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3073
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link