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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
46
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
43
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2260
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
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