RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
3200
En 7.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
23400
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2913
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link