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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
3200
左右 7.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
2,909.8
15.2
写入速度,GB/s
1,519.2
11.8
内存带宽,mbps
3200
23400
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2913
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
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