RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
104
En -197% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2664
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link