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Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Compara
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB vs Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Puntuación global
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
50
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,476.1
1,905.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
48
50
Velocidad de lectura, GB/s
5,710.4
5,143.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,476.1
1,905.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1026
855
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
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