Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB vs Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

总分
star star star star star
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB

Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB

总分
star star star star star
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    48 left arrow 50
    左右 4% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    5 left arrow 5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,476.1 left arrow 1,905.1
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    48 left arrow 50
  • 读取速度,GB/s
    5,710.4 left arrow 5,143.3
  • 写入速度,GB/s
    2,476.1 left arrow 1,905.1
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1026 left arrow 855
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较