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Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Confronto
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB vs Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
50
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,476.1
1,905.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
48
50
Velocità di lettura, GB/s
5,710.4
5,143.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,476.1
1,905.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1026
855
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
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