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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
39
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
22
读取速度,GB/s
14.6
17.2
写入速度,GB/s
8.8
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3035
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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