Comparación de la memoria RAM Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Puntuación global

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 18.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,451.8 14.8

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 65

En -132% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 6400

En 2.66 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

878 3564

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns