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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

総合得点
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,451.8 left arrow 14.8
    テスト平均値
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 65
    周辺 -132% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    4,605.9 left arrow 18.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,451.8 left arrow 14.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    878 left arrow 3564

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