RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
60
En -71% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3147
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link