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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
60
左右 -71% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
35
读取速度,GB/s
4,595.2
15.9
写入速度,GB/s
2,168.2
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3147
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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