Comparación de la memoria RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Puntuación global

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 14.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,168.2 10.7

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 60

En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

23400 5300

En 4.42 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

941 2935

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns