Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 14.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,168.2 left arrow 10.7
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 60
    Intorno -100% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    23400 left arrow 5300
    Intorno 4.42 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    60 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,595.2 left arrow 14.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,168.2 left arrow 10.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 23400
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    941 left arrow 2935
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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