RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
60
Autour de -100% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
5300
Autour de 4.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
23400
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2935
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link