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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
65
En -97% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2730
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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