RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
22
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
65
En -117% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
22.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3830
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 99P5471-024.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link