RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
65
En -81% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3098
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link