RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
65
En -103% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3249
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link